A Miller-plató ideje majdnem nulla (lásd a 3. ábrát), és a teljes kapcsolási veszteség legalább 70%-kal csökken
Oct 19, 2022| A Miller-plató ideje majdnem nulla (lásd a 3. ábrát), és a teljes kapcsolási veszteség legalább 70%-kal csökken
Amint az 1. táblázatban látható, ugyanazon RDS(ON) mellett a gallium-nitridnek kisebb a parazita kapacitása, a Ciss és a Crss pedig a Si CoolMOS 1/12-e, illetve 1/23-a, ami gyorsabb kapcsolási sebességet eredményez. A BTPPFC gyorshídkarban az áram és a feszültség átfedési ideje több mint 88%-kal csökken (lásd 2. ábra). A Miller-platóidő majdnem nulla (lásd 3. ábra), és a teljes kapcsolási veszteség legalább 70%-kal csökken.
Az InnoGaN költsége kisebb és jobb a linearitása (lásd a 4. ábrát). Ha a Vds alacsony, a GaN Coss-a sokkal kisebb, mint a Si MOS-é, és Si-nek lejtős mutációs folyamata lesz. A rendszer hullámformájából látható, hogy a GaN kapcsolási átfedési vesztesége jóval kisebb, mint a Si MOS-é, és a GaN Dv/dt értéke a t2-t3 szegmensben kisebb, mint a Si MOSé, így a A generált EMI zaj is kisebb.
