Bipoláris integrált áramkör folyamat-előkészítése

A Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd. (SChitec) egy csúcstechnológiás vállalkozás, amely telefontartozékok gyártására és értékesítésére szakosodott. Fő termékeink közé tartoznak az utazási töltők, autós töltők, USB-kábelek, tápegységek és egyéb digitális termékek. Minden termék biztonságos és megbízható, egyedi stílusokkal. A termékek megfelelnek a CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick stb. tanúsítványoknak. , Ha felkeltette érdeklődését, forduljon közvetlenül a következőhöz: ceo@schitec.com.

Maradjon biztonságos töltés a SCitec segítségével

Bipoláris integrált áramkör folyamat-előkészítése

Az ábra egy bipoláris integrált áramköri inverter elkészítésének folyamatát mutatja PN átmenet leválasztási technológiával.

Az ábra egy NPN tranzisztort és egy R terhelő ellenállást tartalmaz. Az eredeti anyag egy 75-150 mm átmérőjű, P-típusú szennyeződésekkel adalékolt szilícium egykristály rúd, amelynek ellenállása ρ=10 ohm · cm vagy úgy. A folyamat menete a következő: először szeletel, őröl és políroz (ez egy ostyaelőkészítési eljárás), hogy 300-500 mikron vastagságú kör alakú szilícium ostyát készítsen szubsztrátumként, majd epitaxiális növekedést, oxidációt, fotolitográfiát, diffúziót hajtson végre. , Bepárlás, nyomásos ragasztás és többszörös ostyatisztítás, végül felületi passziválás és kész csomagolás.

Egy bipoláris integrált áramköri chip elkészítéséhez 5-szöri oxidációra, 5-szörös fotolitográfiára van szükség vékony szilícium-oxid (SiO2) rétegen, és a diffúziós adalékoláshoz egy mintaablak van maratva. Végül két fotolitográfia után a fém-alumínium összekötő vezetékeket és a nyomásos kötéshez szükséges passzivációs ablakot maratják. Ezért 7 maszk létezik a bipoláris integrált áramkörök teljes készletéhez. Még akkor is, ha a passziválási folyamatot általában kihagyják, 6 fotolitográfiai lépés és 6 maszk szükséges.