Az erősítés elve
Nov 02, 2019| Maradjon biztonságos töltés a SCitec segítségével
Az erősítés elve
1. Az indítási terület elektronokat bocsát ki az alapterületre
Az Ub áramforrást az Rb ellenálláson keresztül az emitter átmenetre vezetik, és az emitter átmenet előre előfeszített, és az emitter régióban lévő többségi hordozók (szabad elektronok) folyamatosan áthaladnak az emitter csomóponton az alapterületbe, hogy létrehozzák az Ie emitteráramot. . Ugyanakkor az alaprégióban lévő vivők nagy része az emitter régióba is diffundál. Mivel azonban a többségi vivőkoncentráció sokkal alacsonyabb, mint az emitter régióban lévő vivőkoncentráció, ez az áram figyelmen kívül hagyható. Ezért tekinthető úgy, hogy az emitter átmenet főként elektronáram.
2. Elektronok diffúziója és rekombinációja a bázis régióban
Miután az elektron belép az alapterületbe, az emitter csomópont közelében sűrű, és fokozatosan elektronkoncentráció-különbséget képez. A koncentrációkülönbség hatására az elektronáramlás az alapterületen a kollektor csomópontba diffundál, és a kollektor elektromos tere az áramkollektorba húzódik. A régió Ic kollektoráramot képez. Az elektronok egy kis része (mivel az alapterület nagyon vékony) is rekombinálódik az alapterületen lévő lyukakkal, és a diffúz elektronáramlás és az összetett elektronáramlás aránya határozza meg a trióda erősítési képességét.
3. Áramgyűjtés a kollektor területén
Mivel a kollektor átmenet plusz a fordított feszültség nagy, a fordított feszültség által generált elektromos térerő megakadályozza, hogy a kollektor tartományban lévő elektronok a bázistartományba diffundáljanak, és ezzel egyidejűleg a kollektor közelébe diffundáló elektronok. csomópontok behúzódnak a kollektor tartományba, hogy kollektor főt képezzenek. Jelenlegi Icn. Emellett a kollektor tartományban lévő kisebbségi hordozók (lyukak) is drift mozgást produkálnak, ami az alapterület felé áramlik, és fordított telítési áramot képez, amelyet a kis értékű, de hőmérsékletre rendkívül érzékeny Icbo képvisel.


